由于闪存芯片生产材料污染,上月,西部数据已通知客户上调闪存的价格[1]。美光已通知NAND芯片合约、现货价双涨。其中,合约价上涨17%~18%,现货价涨幅25%以上[2]。TrendForce预计,受材料污染影响,NAND闪存价格在第二季度将飙升5%~10%[3]。
不过,频频涨价的内存和闪存,多来自国际大厂,国产品牌寥寥无几。
本文是“果壳硬科技”策划的“国产替代”系列第四篇文章,关注半导体存储器国产替代。在本文中 ,你将了解到:不同类型半导体存储器技术细节,国内外在市场上的基本情况,国产半导体存储器发展情况。
存储芯片被分成两大类
对人来说,记忆力是重要的,重量1.4kg的人脑就能够存储超过2.5PB(千万亿字节)的信息[4]。对现代电子系统来说,存储信息同样重要。
1947年,曼彻斯特大学使用威廉姆斯-基尔伯恩管 (Williams-Kilburn tube)记录数据点,此后存储器开始走向全电子化,并经历了数代磁存储技术迭代。1970年代开始,半导体存储器逐渐发展成主流[5]。
如今,半导体存储器已经成为半导体产业最大细分市场,约占全球半导体产业的三分之一[6]。据统计,至2025年全球将产生175ZB(十万亿亿字节)数据[7],这会带动半导体存储器继续增长。IC insights预测,未来五年半导体存储器将保持6.8%的年复合增长率[8]。
在半导体领域,存储器被分为易失性存储器(内存)和非易失性存储器(外存)两个大类,前者在掉电时数据会立即消失,后者则不受断电影响,持久储存数据。
易失性存储器在过去几十年内没有特别大的变化,依然是以SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)为主,非易失性存储器(NVM)则是不断有新的技术浮现[9]。